IPB123N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W
426,25 ₴
- В наявності
- Код: 00-00070027
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPB123N10N3GATMA1 Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W
426,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPB123N10N3GATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 94W (Tc) |
| Місткість затвора | 2500 pF @ 50 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 6V 10V |
| Заряд затвора | 35 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 58 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3.5V @ 46µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 12.3mOhm @ 46A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | D2PAK |
- Ціна: 426,25 ₴
