HYG009N04LS1C2 40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
71,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00078918
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
HYG009N04LS1C2 40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
71,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
HYG009N04LS1C2 Транзистор польовий MOSFET
40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Користувальницькі характеристики | |
| Вхідна ємність (Ciss) | 5.876 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 89 нКл за 10 В |
| Корпус | DFN-8 (5.1×5.8 мм) |
| Напруга стік-висток _x000D_ (Vds) | 40 В |
| Зворотна прохідна _x000D_ ємність (Crss) | 58 пФ за 25 В |
| Порогова напруга _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 1.8 В |
| Постійний струм стоку _x000D_ (Id) | 200 А |
| Розсіювана потужність _x000D_ (Pd) | 75 Вт |
| Опір _x000D_ стік-висток (RDS(on)) | 0.75 мΩ при 10 В, _x000D_ 40 А |
| Температура _x000D_ експлуатації | от -55 °C до _x000D_ +175 °C |
| Тип | 1 N-канальний |
- Ціна: 71,25 ₴
