FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10
![FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10, фото 1](https://images.prom.ua/6935124143_fds4953-mosfet-tranzistor.jpg)
380 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00064940
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10
![FDS4953 MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10](https://images.prom.ua/6935124143_w640_h640_fds4953-mosfet-tranzistor.jpg)
380 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FDS4953 Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор - [SOIC-8-3.9], Тип: P, Uси: 30 В, Іс (25 ° C): 5 А, Rсі (вкл): 55 ... 95 мОм, @ Uзатв (ном): 4.5. ..10 У, Qзатв: 6 нКл
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 2W (Ta) |
| Місткість затвора | 528pF @ 15V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 9 nC @ 5 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 5 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 55mOhm @ 5A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Основні | |
| Тип корпусу | SO8 |
- Ціна: 380 ₴
