FDN5618P MOSFET транзистор - SOT-23-3: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 1.2 А: Rсі (вкл): 0,17 ... 0,23 Ом: @ Uзатв (ном) 4 , 5 ...

397,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00051262
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FDN5618P Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор - SOT-23-3: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 1.2 А: Rсі (вкл): 0,17 ... 0,23 Ом: @ Uзатв (ном) 4 , 5 ... 10 В.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Fair |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 500mW (Ta) |
| Місткість затвора | 430 pF @ 30 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 13.8 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1.2 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 170mOhm @ 1.25A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT23-3 |
- Ціна: 397,50 ₴

