CRJQ99N65G2BF Транзистор N-MOSFET 650V, 90mΩ, 31A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
CRJQ99N65G2BF Транзистор польовий MOSFET
Транзистор N-MOSFET 650V, 90mΩ, 31A
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 255W (Tc) |
| Місткість затвора | 1900 pF @ 100 V |
| Заряд затвора | 70 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±30V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 650 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 31 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4.6V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 103mOhm @ 17A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247 |
- Ціна: 191,25 ₴

