C2M0080120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт
2 062,50 ₴
- В наявності
- Код: 00-00070966
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
C2M0080120D Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт
2 062,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
C2M0080120D Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, SiC, польовий, 1,2 кВ, 36А, 208Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | CREE |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 192W (Tc) |
| Місткість затвора | 950 pF @ 1000 V |
| Заряд затвора | 62 nC @ 5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | +25V -10V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 1200 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 36 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 5mA |
| Опір каналу у відкритому стані | 98mOhm @ 20A 20V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247-3 |
- Ціна: 2 062,50 ₴
