RJP30H1DPD Поодинокі IGBT транзистори корпус: TO-252, Біполярний транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
106,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00065724
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
RJP30H1DPD Поодинокі IGBT транзистори корпус: TO-252, Біполярний транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
106,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
RJP30H1DPD Транзистор IGBT
Поодинокі IGBT транзистори корпус: TO-252, Біполярний транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час увімкнення | 20ns |
| Час вимкнення | 40ns |
| Заряд затвора | 23 nC |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 40 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Напруга колектор-емітер, В | 360 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.5 |
| Тип корпусу | TO-252 |
| Струм колектора, А | 30 |
- Ціна: 106,25 ₴
