IKW75N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IKW75N65ET7XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 333 Вт, 650 В
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Час увімкнення | 28ns |
| Час вимкнення | 310ns |
| Заряд затвора | 435 nC |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 333 |
| Мін. робоча температура, | -40 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 650 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.65 |
| Тип корпусу | TO-247-3 |
| Струм колектора, А | 80 |
- Ціна: 805 ₴

