IKW50N65ET7XKSA1 IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IKW50N65ET7XKSA1 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.35 В, 273 Вт, 650 В, TO-247
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Час увімкнення | 26ns |
| Час вимкнення | 350ns |
| Заряд затвора | 290 nC |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 273 |
| Мін. робоча температура, | -40 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 650 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.65 |
| Тип корпусу | TO-247 |
| Струм колектора, А | 80 |
- Ціна: 801,25 ₴

