YJQ15GP10A Транзистор: P-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, польовий, -100В, -9,5А
70 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00075032
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
YJQ15GP10A Транзистор: P-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, польовий, -100В, -9,5А
70 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
YJQ15GP10A Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, SPLIT GATE TRENCH, польовий, -100В, -9,5А
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 43W (Tc) |
| Місткість затвора | 119 pF @ 50 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 20.1 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 15 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 120mOhm @ 5A 4.5V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | DFN3x3 |
- Ціна: 70 ₴
