STP10N60M2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh M2, польовий, 600В, 4,9А, Idm: 30А
93,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00074683
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
STP10N60M2 Транзистор: N-MOSFET, MDmesh M2, польовий, 600В, 4,9А, Idm: 30А
93,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
STP10N60M2 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, MDmesh M2, польовий, 600В, 4,9А, Idm: 30А
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ST |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 85W (Tc) |
| Місткість затвора | 400 pF @ 100 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 13.5 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 600 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 7.5 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 600mOhm @ 3A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-220 |
- Ціна: 93,75 ₴
