SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання
100 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00079153
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання
100 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SIS476DN-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 30 В: 40 A (Tc): ~28–40 A, RDS(on) ≈ 2.5 мΩ @ 15 A/10 V: потужність розсіювання 3.7 W (Ta) / 52 W (Tc)
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Заряд затвора | 77 nC |
| Кількість каналів | 1 Channel |
| Максимальна робоча _x000D_ температура | + 150 C |
| Мінімальна робоча _x000D_ температура | - 55 C |
| Напруга _x000D_ Затвор-висток | - 16 V, + 20 V |
| Напруга пробою _x000D_ стік-висток | 30 V |
| Безперервний струм _x000D_ утечки | 40 A |
| Полярність _x000D_ транзизора | N-Channel |
| Порогова напруга _x000D_ Затвор-висток | 1 V |
| Розсіювання потужності | 52 W |
| Опір _x000D_ стік-висток | 2.05 mOhms |
- Ціна: 100 ₴
