SIHG17N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
451,25 ₴
- В наявності
- Код: 00-00075206
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SIHG17N80AE-GE3 Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
451,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SIHG17N80AE-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, польовий, 800В, 10А, Idm: 32А, 179Вт, TO247AC
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 179W (Tc) |
| Місткість затвора | 1260 pF @ 100 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 62 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 155 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±30V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 800 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 15 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 290mOhm @ 8.5A 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247AC |
- Ціна: 451,25 ₴
