SI2337DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23
102,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00070255
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI2337DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23
102,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI2337DS-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -80В, -1,75А, 1,6Вт, SOT23
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 760mW (Ta) 2.5W (Tc) |
| Місткість затвора | 500 pF @ 40 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 6V 10V |
| Заряд затвора | 17 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 80 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 2.2 |
| Мін. робоча температура, | -50 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 270mOhm @ 1.2A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 102,50 ₴
