IXFH26N50 MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 500 V, 200 mohm

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IXFH26N50 Транзистор польовий MOSFET
MOSFET Transistor, N Channel, 26 A, 500 V, 200 mohm
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 300W (Tc) |
| Місткість затвора | 4200 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 160 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 500 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 26 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 4mA |
| Опір каналу у відкритому стані | 200mOhm @ 13A, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-247 |
- Ціна: 1 575 ₴

