IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3
![IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3, фото 1](https://images.prom.ua/6935095887_irld110pbf-mosfet-silovij.jpg)
98,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00032353
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3
![IRLD110PBF MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3](https://images.prom.ua/6935095887_w640_h640_irld110pbf-mosfet-silovij.jpg)
98,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRLD110PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [HD1]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс (25 ° C): 8 А: Uзатв (макс): 10 В: Qзатв: 6.1 нКл: Pрасс: 1.3 Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 1.3W (Ta) |
| Місткість затвора | 250 pF @ 25 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4V 5V |
| Заряд затвора | 6.1 nC @ 5 V |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±10V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 100 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Порогова напруга на затворі | 2V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 540mOhm @ 600mA 5V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | HD1 |
- Ціна: 98,75 ₴
