GT50N324 IGBT + Diode, N, 150 W, 50 A

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
GT50N324 Транзистор IGBT
IGBT + Diode, N, 150 W, 50 A
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | TOS |
| Користувальницькі характеристики | |
| Час увімкнення | 0.33us |
| Час вимкнення | 0.70us |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 150 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 25 |
| Напруга колектор-емітер, В | 1000 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.9 |
| Тип корпусу | TO-3P[N] |
| Струм колектора, А | 50 |
- Ціна: 953,75 ₴

