FGAF40N60SMD IGBT транзистор, 80 А, 1.9 В, 115 Вт, 600 В

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FGAF40N60SMD Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.9 В, 115 Вт, 600 В
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Час увімкнення | 12ns |
| Час вимкнення | 92ns |
| Заряд затвора | 119 nC |
| Макс. робоча температура, | 175 |
| Максимальна розсіювана потужність, Вт | 115 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | THT |
| Напруга затвора — еміттер, В | 20 |
| Напруга колектор-емітер, В | 600 |
| Напруга насичення колектор-емітер, В | 1.9 |
| Тип корпусу | TOP-3FP |
| Струм колектора, А | 80 |
- Ціна: 967,50 ₴

