SVD1055SATR Польовий транзистор 2 W, 17A, 55V

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SVD1055SATR Транзистор польовий MOSFET
Польовий транзистор 2 W, 17A, 55V
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 2W (Tc) |
| Місткість затвора | 386 pF @ 25 V |
| Заряд затвора | 11 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 55 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 17 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 4V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 70mOhm @ 10A 10V |
| Структура | N/P-MOSFET |
| Тип корпусу | SO8 |
- Ціна: 37,50 ₴

