SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -35А, Idm: -80А, 33Вт
57,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00070545
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -35А, Idm: -80А, 33Вт
57,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI7615ADN-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -35А, Idm: -80А, 33Вт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 3.7W (Ta) 52W (Tc) |
| Місткість затвора | 5590 pF @ 10 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 20V |
| Заряд затвора | 183 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±12V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 35 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 1.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 4.4mOhm @ 20A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | PowerPAKSO8 |
- Ціна: 57,50 ₴
