SI2323DS-T1-E3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -3,8А, 1,25 Вт, SOT23
42,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00055142
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI2323DS-T1-E3 Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -3,8А, 1,25 Вт, SOT23
42,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI2323DS-T1-E3 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -3,8А, 1,25 Вт, SOT23
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 750mW (Ta) |
| Місткість затвора | 1020 pF @ 10 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 1.8V 4.5V |
| Заряд затвора | 19 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±8V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 3.8 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 1V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 39mOhm @ 4.7A, 4.5V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 42,50 ₴
