SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
36,25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00051187
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI2319CDS-T1-GE3 МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
36,25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI2319CDS-T1-GE3 Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор, P Канал, -4.4 А, -40 В, 0.064 Ом, -10 В, -1.2 В
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 1.25W (Ta) 2.5W (Tc) |
| Місткість затвора | 595 pF @ 20 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 21 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 40 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 4.4 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 77mOhm @ 3.1A, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 36,25 ₴
