SI2307BDS-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.063 Ом, -10 В, -3 В
20 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00051183
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
SI2307BDS-T1-E3 МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.063 Ом, -10 В, -3 В
20 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
SI2307BDS-T1-E3 Транзистор польовий MOSFET
МОП-транзистор, P Канал, -2.5 А, -30 В, 0.063 Ом, -10 В, -3 В
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Vishay Intertechnology |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 750mW (Ta) |
| Місткість затвора | 380 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 15 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 2.5 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 78mOhm @ 3.2A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 20 ₴
