IRLMS6702TRPBF MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 200 мОм

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRLMS6702TRPBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET транзистор: P-канал, 20 В, 200 мОм
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 1.7W (Ta) |
| Місткість затвора | 210 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 2.7V 4.5V |
| Заряд затвора | 8.8 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±12V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 2.4 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 700mV @ 250µA (Min) |
| Опір каналу у відкритому стані | 200mOhm @ 1.6A, 4.5V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | TSOP6 |
- Ціна: 13,75 ₴

