IRF7807D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 25 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
![IRF7807D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 25 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:, фото 1](https://images.prom.ua/6928343806_irf7807d2pbf-mosfet-silovij.jpg)
28,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031882
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF7807D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 25 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:
![IRF7807D2PBF MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 25 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 В:](https://images.prom.ua/6928343806_w640_h640_irf7807d2pbf-mosfet-silovij.jpg)
28,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF7807D2PBF Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [SOIC-8-3.9]: Тип: N with Schottky: Uси: 30 В: Rсі (вкл): 25 мом: @ Uзатв (ном): 4.5 В: Uзатв (макс): 12 В: Qзатв: 12 нКл
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 2.5W (Ta) |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V |
| Заряд затвора | 17 nC @ 5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±12V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 8.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 1V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 25mOhm @ 7A, 4.5V |
| Структура | N-Channel |
| Основні | |
| Тип корпусу | SO8 |
- Ціна: 28,75 ₴
