IRF6619TR1 Транзистор польовий N-Channel 20 В, 30 А, 2.8 Вт, DirectFET-7 MX, -40 ... 150 ° C
62,50 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031786
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IRF6619TR1 Транзистор польовий N-Channel 20 В, 30 А, 2.8 Вт, DirectFET-7 MX, -40 ... 150 ° C
62,50 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IRF6619TR1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор польовий N-Channel 20 В, 30 А, 2.8 Вт, DirectFET-7 MX, -40 ... 150 ° C
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | IR |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 2.8W (Ta) 89W (Tc) |
| Місткість затвора | 5040 pF @ 10 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 57 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 20 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 30 |
| Мін. робоча температура, | -40 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.45V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 2.2mOhm @ 30A, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | DirectFET |
- Ціна: 62,50 ₴
