IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 800В: 1А: 13Вт
28,75 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 500 ₴
- В наявності
- Код: 00-00058522
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор: N-MOSFET: польовий: 800В: 1А: 13Вт
28,75 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
IPD80R4K5P7ATMA1 Транзистор польовий MOSFET
Транзистор: N-MOSFET: польовий: 800В: 1А: 13Вт
| Користувальницькі характеристики | |
|---|---|
| Pd — Розсіювана потужність | 13W (Tc) |
| Місткість затвора | 80 pF @ 500 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 10V |
| Заряд затвора | 4 nC @ 10 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 800 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 3.5V @ 200µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 4.5Ohm @ 400mA, 10V |
| Структура | N-Channel |
| Тип корпусу | TO-252 |
- Ціна: 28,75 ₴
