FDN352AP Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт

У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
FDN352AP Транзистор польовий MOSFET
Транзистор P-MOSFET, польовий, -30В, -1,3А, 500мВт
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ONS |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 500mW (Ta) |
| Місткість затвора | 150 pF @ 15 V |
| Діапазон номінальних напруг затвора | 4.5V 10V |
| Заряд затвора | 1.9 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±25V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 30 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 1.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 2.5V @ 250µA |
| Опір каналу у відкритому стані | 180mOhm @ 1.3A 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 20 ₴

