BSH201.215 MOSFET силовий транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 300 мА: Rсі (вкл): 2.5 ... 3.75 Ом: @ Uзатв
![BSH201.215 MOSFET силовий транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 300 мА: Rсі (вкл): 2.5 ... 3.75 Ом: @ Uзатв, фото 1](https://images.prom.ua/6928354880_bsh201215-mosfet-silovij.jpg)
25 ₴
Мінімальна сума замовлення на сайті — 400 ₴
- В наявності
- Код: 00-00031557
+380 (97) 037-75-90
або пишіть на і-мейл або чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69Днем замовлення вважається той день
BSH201.215 MOSFET силовий транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 300 мА: Rсі (вкл): 2.5 ... 3.75 Ом: @ Uзатв
![BSH201.215 MOSFET силовий транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 300 мА: Rсі (вкл): 2.5 ... 3.75 Ом: @ Uзатв](https://images.prom.ua/6928354880_w640_h640_bsh201215-mosfet-silovij.jpg)
25 ₴
В наявностіУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
повернення товару протягом 14 днів за рахунок покупця
Опис
Характеристики
Інформація для замовлення
BSH201.215 Транзистор польовий MOSFET
MOSFET силовий транзистор - [SOT-23-3]: Тип: P: Uси: 60 В: Iс (25 ° C): 300 мА: Rсі (вкл): 2.5 ... 3.75 Ом: @ Uзатв (ном): 4.5 ... 10 В
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | NXP Semiconductors |
| Користувальницькі характеристики | |
| Pd — Розсіювана потужність | 540mW (Ta) |
| Місткість затвора | 83 pF @ 24 V |
| Заряд затвора | 2.1 nC @ 4.5 V |
| Макс. робоча температура, | 150 |
| Максимальна напруга затворів-висток | ±20V |
| Максимальна напруга стік-висток, В | 60 V |
| Максимальний струм стоток-висток за 25 °C, макс А | 0.3 |
| Мін. робоча температура, | -55 |
| Монтаж | SMD |
| Порогова напруга на затворі | 400mV @ 1mA |
| Опір каналу у відкритому стані | 2.5Ohm @ 160mA, 10V |
| Структура | P-Channel |
| Тип корпусу | SOT-23 |
- Ціна: 25 ₴
