Транзистор полевой СВЧ

RD01MUS2-T113 RF-MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT89

00-00031138

118,75 ₴
В наявності
ALD110802SCL Тип: Складання MOSFET: Uси, max, В: 10: I с, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rсі, Ом: 500: Тип: 4N

00-00030943

163,75 ₴
В наявності
RD01MUS1-T113 Транзистор MOSFET, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, SOT-89

00-00053733

228,75 ₴
В наявності
ERA-3SM DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain = 21 dB, P1dB = 12,1 dB @ 1 GHz

00-00063176

341,25 ₴
В наявності
ALD110902PAL Тип: Складання MOSFET: Uси, max, В: 10: I с, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rсі, Ом: 500: Тип: 2N

00-00030946

413,75 ₴
В наявності
RD06HVF1-101 RF-MOSFET 175MHz 6W 12.5V TO220

00-00031139

785 ₴
В наявності
RD16HHF1-101 RF Power Transistor, 0.01 to 1 GHz, 16 W, 16 dB, 12.5 V

00-00031143

1 386,25 ₴
В наявності
RD01MUS2-T113 RF-MOSFET 7.2V 520MHz 0.8W SOT89

00-00031138

118,80 ₴
В наявності
ALD110802SCL Тип: Складання MOSFET: Uси, max, В: 10: I с, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rсі, Ом: 500: Тип: 4N

00-00030943

163,80 ₴
В наявності
RD01MUS1-T113 Транзистор MOSFET, 520МГц, 0.8Вт, 7.2В, 14.3dBm, SOT-89

00-00053733

228,80 ₴
В наявності
ERA-3SM DC-3 GHz Drop-in Monilitic Amplifier, Gain = 21 dB, P1dB = 12,1 dB @ 1 GHz

00-00063176

341,30 ₴
В наявності
ALD110902PAL Тип: Складання MOSFET: Uси, max, В: 10: I с, max, А: 0,012: Uзи, В: 0,2: Rсі, Ом: 500: Тип: 2N

00-00030946

413,80 ₴
В наявності