Корзина

E13007-1 Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB.

E13007-1 Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB., фото 1

38,80 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00082507
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
E13007-1 Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB.E13007-1 Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB.
38,80 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
E13007-1 Транзистор биполярный
Биполярный транзистор (BJT), NPN, 400 В, 6 А, 4 МГц, 80 Вт, монтаж в отверстие (Through Hole), корпус TO-220AB.
Основные
ПроизводительFair
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00082507
Количество1
Коллекторный ток (IC)6 А
КорпусTO-220AB
Коэффициент усиления _x000D_ по постоянному току (hFE)30
МонтажThrough Hole (в _x000D_ отверстие)
Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO)400 В
Напряжение _x000D_ эмиттер-база (VEBO)9 В
Напряжение насыщения _x000D_ (VCE(sat))1 В
Обратный ток _x000D_ коллектора10 мкА
Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd)80 Вт
Тип транзистораNPN
Частота перехода (fT)4 МГц
  • Цена: 38,80 ₴