IPW65R150CFDFKSA2-VB N-канальный MOSFET 650 В, 20 А, 208 Вт, корпус TO-247

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPW65R150CFDFKSA2-VB Транзистор полевой MOSFET
N-канальный MOSFET 650 В, 20 А, 208 Вт, корпус TO-247
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00082468 |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2,322 нФ |
| Выходная ёмкость (Coss) | 105 пФ |
| Заряд затвора (Qg) | 106 нКл @ 10 В |
| Количество | 1 N-канальный |
| Корпус | TO-247 |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vds) | 650 В |
| Непрерывный ток стока _x000D_ (Id) | 20 А |
| Обратная передаточная _x000D_ ёмкость (Crss) | 4 пФ |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвор-исток (VGS(th)) | 4 В |
| Производитель | VBsemi Elec |
| Рабочая температура | -55…+150 °C |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd) | 208 Вт |
| Сопротивление _x000D_ открытого канала (RDS(on)) | 190 мОм @ 10 В |
| Тип | N-канальный MOSFET |
- Цена: 407,50 ₴

