STP19NM50N-VB MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
321,30 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00082194
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
STP19NM50N-VB MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
321,30 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
STP19NM50N-VB Транзистор полевой MOSFET
MOSFET N-CH 650V 20A TO-220AB
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00082194 |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.322 нФ |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.054 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 106 нКл @ 10 В |
| Количество каналов | 1 |
| Корпус | TO-220AB |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-исток (Vgs) | ±30 В |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток стока (Id) | 20 А |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vds) | 650 В |
| Обратная передаточная _x000D_ ёмкость (Crss) | 84 пФ |
| Особенности | высоковольтный _x000D_ MOSFET для импульсных источников питания, инверторов и силовой _x000D_ электроники. |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 4 В |
| Рабочая температура | -55℃ ~ +150℃ |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd) | 208 Вт |
| Сопротивление _x000D_ открытого канала (RDS(on)) | 190 мΩ @ 10 В |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
- Цена: 321,30 ₴
