IPW65R150CFDFKSA2 N-канальный MOSFET 650 В, 22,4 А (Tc), 195,3 Вт (Tc), корпус PG-TO247-3-41

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IPW65R150CFDFKSA2 Транзистор полевой MOSFET
N-канальный MOSFET 650 В, 22,4 А (Tc), 195,3 Вт (Tc), корпус PG-TO247-3-41
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Infineon |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 22.4 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 195.3 W |
| Qg - заряд затвора | 86 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 700 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 20 V, 20 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 4 V |
| Артикул | 00-00082467 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Корпус | TO-247-3 |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C … + 150 C |
| Технология | Si |
- Цена: 870 ₴

