Корзина

HYG028N10NS1P N-канальный MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L

HYG028N10NS1P N-канальный MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L, фото 1

248,80 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00081822
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
HYG028N10NS1P N-канальный MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3LHYG028N10NS1P N-канальный MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L
248,80 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HYG028N10NS1P Транзистор полевой MOSFET
N-канальный MOSFET: 100 В, 230 А, 300 Вт, корпус TO-220FB-3L
Основные
ПроизводительHUAYI
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00081822
Входная ёмкость (Ciss)10,32 нФ
Выходная ёмкость (Coss)3,454 нФ
Заряд затвора (Qg)176 нКл при 10 В
Количество каналов1 N-канал
КорпусTO-220FB-3L
Напряжение сток-исток100 В
Обратная передаточная _x000D_ ёмкость (Crss)242 пФ
Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th))4 В
Постоянный ток стока _x000D_ (Id)230 А
Рабочая температура−55℃…+175℃
Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd)300 Вт
Сопротивление _x000D_ открытого канала (RDS(on))3,3 мОм при 10 В
ТипN-канальный
  • Цена: 248,80 ₴