AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs
![AP30P03D -55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected], 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs, фото 1](https://images.prom.ua/7728423665_ap30p03d-55150-1.jpg)
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
AP30P03D Транзистор полевой MOSFET
-55℃~+150℃, 1 P-Channel, 1.345nF, [email protected] , 30A, 32mΩ@4.5V, 34.7W, TO-252-3 MOSFETs
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00082299 |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1,345 нФ |
| Выходная ёмкость (Coss) | 194 пФ |
| Заряд затвора (Qg) | 12,5 нКл при VGS = 4,5 В |
| Количество каналов | 1 P-канал |
| Корпус | TO-252-3 |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vds) | 30 В |
| Обратная передаточная _x000D_ ёмкость (Crss) | 158 пФ |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 2,5 В |
| Постоянный ток стока _x000D_ (Id) | 30 А |
| Производитель | A Power Microelectronics |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd) | 34,7 Вт |
| Сопротивление _x000D_ открытого канала (RDS(on)) | 32 мОм при VGS = _x000D_ 4,5 В |
| Тип транзистора | P-канальный MOSFET |
- Цена: 42,50 ₴

