Корзина

AP0803QD N-канальный MOSFET массив: 30 В, 20 А, 20 Вт, корпус PMPAK (3×3), для поверхностного монтажа

AP0803QD N-канальный MOSFET массив: 30 В, 20 А, 20 Вт, корпус PMPAK (3×3), для поверхностного монтажа, фото 1

27,50 ₴

Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00081741
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
AP0803QD N-канальный MOSFET массив: 30 В, 20 А, 20 Вт, корпус PMPAK (3×3), для поверхностного монтажаAP0803QD N-канальный MOSFET массив: 30 В, 20 А, 20 Вт, корпус PMPAK (3×3), для поверхностного монтажа
27,50 ₴
В наличии
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
  • +380 (73) 156-87-00
    или пишите на мэйл и чат
  • +380 (50) 547-59-69
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
AP0803QD Транзистор полевой MOSFET
N-канальный MOSFET массив: 30 В, 20 А, 20 Вт, корпус PMPAK (3×3), для поверхностного монтажа
Дополнительные характеристики
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00081741
Входная ёмкость (Ciss)1.28 нФ
Выходная ёмкость (Coss)225 пФ
Заряд затвора (Qg)22.4 нКл
Количество2 N-канальных _x000D_ транзистора
КорпусPMPAK (3×3)
Напряжение сток–исток _x000D_ (Vds)30 В
Обратная передаточная _x000D_ ёмкость (Crss)160 пФ
Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th))3 В
Постоянный ток стока _x000D_ (Id)20 А
Рабочая температураот -55℃ до +150℃
Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd)20 Вт
Сопротивление канала _x000D_ (RDS(on))11.5 мОм при 10 В
ТипN-канальный
  • Цена: 27,50 ₴