IGP40N65H5XKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGP40N65H5XKSA1 Транзистор IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 650 В, 74 А, 255 Вт
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 250 W |
| Артикул | 00-00073452 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 175 C |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 20 V, 20 V |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 40 C |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток при 25 C | 74 A |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 475 ₴

