NCE75TD120VTP Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247P

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NCE75TD120VTP Транзистор IGBT
Транзистор IGBT + Diode, 833Вт, 1200В, 150А, TO-247P
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00077655 |
| Время нарастания | 17 nS |
| Выходная емкость | 327 pF |
| Максимальная _x000D_ рассеиваемая мощность | 833 W |
| Максимальная _x000D_ температура перехода | 175 ℃ |
| Максимально _x000D_ допустимое напряжение эмиттер-затвор | 30 V |
| Максимальное _x000D_ пороговое напряжение затвор-эмиттер | 6 V |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 150 A @25℃ |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1.7 V @25℃ |
| Общий заряд затвора | 572 nC |
| Предельно-допустимое _x000D_ напряжение коллектор-эмиттер | 1200 V |
| Тип корпуса | TO247P |
| Тип транзистора | IGBT + Diode |
| Тип управляющего _x000D_ канала | N |
- Цена: 496,30 ₴

