HGTG11N120CND IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HGTG11N120CND Транзистор IGBT
IGBT, N: Transistor Type:IGBT: DC Collector Current:43A
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 298 W |
| Артикул | 00-00032674 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 20.82 mm |
| Длина | 15.87 mm |
| Другие названия товара № | HGTG11N120CND_NL |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-247-3 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.1 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 55 A |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 43 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 43 A |
| Серия | HGTG11N120CND |
| Технология | Si |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Ширина | 4.82 mm |
- Цена: 492,50 ₴

