IR2010SPBF Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход

IR2010SPBF Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход, фото 1

195 ₴

  • В наличии
  • Код: 00-00025849

Компания временно не принимает заказы

IR2010SPBF Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: ВходIR2010SPBF Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход
195 ₴
В наличии
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IR2010SPBF Драйверы IGBT/MOSFET
Драйвер FET-IGBT - [SOIC-16-3.9]: Nнижн: 1: Nверхн: 1: Uoffset: 200 В: Iout+: 3000 мА: Iout-: 3000 мА: Опции: Вход сброса, Силовые/сигнальные цепи
Основные атрибуты
ПроизводительInfineon Technologies
СостояниеНовое
Пользовательские характеристики
Артикул00-00025849
Вид микросхемыhigh-/low-side, _x000D_ контроллер затвора
Время включения95нс
Время выключения65нс
Выходной ток-3...3А
Класс напряжения200В
Кол-во каналов2
КорпусSO16
МонтажSMD
Мощность1,25Вт
Напряжение питания10...20В DC
Рабочая температура-40...125°C
Тип микросхемыdriver
Топологияполумост MOSFET
Характеристики _x000D_ интегральных схемintegrated bootstrap _x000D_ functionality,генератор подкачки заряда,мертвое время
  • Цена: 195 ₴