HYG009N04LS1C2 40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
93,80 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00078918
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
HYG009N04LS1C2 40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
93,80 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
HYG009N04LS1C2 Транзистор полевой MOSFET
40V 200A 0.75mΩ@10V,40A 75W 1.8V 1 N-channel MOSFETs
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | HUAYI |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00078918 |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5.876 нФ |
| Заряд затвора (Qg) | 89 нКл при 10 В |
| Корпус | DFN-8 (5.1×5.8 мм) |
| Напряжение сток-исток _x000D_ (Vds) | 40 В |
| Обратная проходная _x000D_ ёмкость (Crss) | 58 пФ при 25 В |
| Пороговое напряжение _x000D_ затвора (Vgs(th)) | 1.8 В |
| Постоянный ток стока _x000D_ (Id) | 200 А |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ (Pd) | 75 Вт |
| Сопротивление _x000D_ сток-исток (RDS(on)) | 0.75 мΩ при 10 В, _x000D_ 40 А |
| Температура _x000D_ эксплуатации | от -55 °C до _x000D_ +175 °C |
| Тип | 1 N-канальный. |
- Цена: 93,80 ₴
