BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:
![BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:, фото 1](https://images.prom.ua/7701503127_bc859cw115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
10 ₴
Минимальная сумма заказа на сайте — 500 ₴
- В наличии
- Код: 00-00031393
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:
![BC859CW.115 Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21:](https://images.prom.ua/7701503127_w640_h640_bc859cw115-bipolyarnyj-tranzistor.jpg)
10 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
BC859CW.115 Транзистор биполярный
Биполярный транзистор - [SOT-323-3], Тип: PNP, UКЭ(макс): 30 В, IК(макс): 100 мА, Pрасс: 200 мВт, Fгран: 100 МГц, h21: 420...800
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Артикул | 00-00031393 |
| Высота | 1 мм |
| Длина | 2,2 мм |
| Категория продукта | Биполярные _x000D_ транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Одиночная |
| Корпус | SC-70-3 |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | +150 °C |
| Максимальный _x000D_ постоянный ток коллектора | 100 мА |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | -65 °C |
| Монтаж | SMD/SMT |
| Напряжение _x000D_ коллектор-база VCBO | 30 В |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс. | 30 В |
| Напряжение _x000D_ эмиттер-база VEBO | 5 В |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 300 мВ |
| Полярность _x000D_ транзистора | PNP |
| Постоянный ток _x000D_ коллектора | -100 мА |
| Постоянный ток _x000D_ коллектора/базы hFE мин. | 420 |
| Постоянный ток _x000D_ усиления hFE макс. | 420 при 2 мА, 5 В |
| Произведение _x000D_ коэффициента усиления полосы пропускания fT | 100 МГц |
| Рассеиваемая мощность _x000D_ Pd | 200 мВт |
| Ширина | 1,35 мм |
- Цена: 10 ₴
