FGH75T65SHDT-F155 Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGH75T65SHDT-F155 Транзистор IGBT
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V FS3 Trench IGBT
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd — рассеиваемая _x000D_ мощность | 455 Вт |
| Артикул | 00-00071633 |
| Конфигурация | Одиночная |
| Корпус | ТО-247-3 |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 175 С |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 20 В, 20 В |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 55 С. |
| Монтаж | Сквозное _x000D_ отверстие |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс. | 650 В |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1,6 В |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic Макс. | 75 А |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора при 25 C | 150 А |
| Продукт | IGBT-транзисторы |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | +/- 400 нА |
- Цена: 2 035 ₴

