FQA140N10 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 99А, Idm: 560А, 375Вт, TO3PN

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FQA140N10 Транзистор полевой MOSFET
Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 99А, Idm: 560А, 375Вт, TO3PN
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 140 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 375 W |
| Qg - заряд затвора | 285 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 10 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 2 V |
| Артикул | 00-00075045 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 940 ns |
| Время спада | 360 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна _x000D_ характеристики прямой передачи - Мин. | 80 S |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C ... + 175 _x000D_ C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-3PN-3 |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время _x000D_ задержки выключения | 350 ns |
| Типичное время _x000D_ задержки при включении | 75 ns |
- Цена: 1 302,50 ₴

