IGW40N60H3FKSA1 Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IGW40N60H3FKSA1 Транзистор IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 306 Вт
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 306 W |
| Артикул | 00-00070662 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы _x000D_ с изолированным затвором |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-247 |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 1.95 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Рабочая _x000D_ температура | -40...175 _x000D_ C |
| Технология | Si |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 1 283,75 ₴

