FGH40T65SPD-F155 IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
1 172,50 ₴
- В наличии
- Код: 00-00062197
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
FGH40T65SPD-F155 IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
1 172,50 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
FGH40T65SPD-F155 Транзистор IGBT
IGBT транзистор, 80 А, 1.85 В, 267 Вт, 650 В
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание мощности | 267 W |
| Артикул | 00-00062197 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.51 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 80 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 40 A |
| Рабочая температура | - 55 ... + 175 C |
| Технология | Si |
| Тип корпуса | TO-247-3 |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
- Цена: 1 172,50 ₴
