NJL3281DG Биполярный одиночный транзистор (BJT) , NPN, 260 В, 15 А, 200 Вт, ТО-264

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
NJL3281DG Транзистор биполярный
Биполярный одиночный транзистор (BJT) , NPN, 260 В, 15 А, 200 Вт, ТО-264
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd — рассеиваемая _x000D_ мощность | 200 Вт |
| Артикул | 00-00073737 |
| Высота | 25,98 мм |
| Длина | 19,89 мм |
| Коллектор _x000D_ постоянного тока/базовое усиление hFE Мин. | 75 |
| Коллектор — базовое _x000D_ напряжение VCBO | 260 В |
| Конфигурация | Одиночная |
| Максимальная рабочая _x000D_ температура | + 150 С |
| Максимальный ток _x000D_ коллектора постоянного тока | 15 А |
| Минимальная рабочая _x000D_ температура | - 65 С. |
| Монтаж | Сквозное _x000D_ отверстие |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер VCEO Макс. | 260 В |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 3 В |
| Полярность _x000D_ транзистора | NPN |
| Продукт | Биполярные _x000D_ транзисторы - BJT |
| Серия | NJL3281D |
| Усиление продукта _x000D_ полосы пропускания fT | 30 МГц |
| Эмиттер — базовое _x000D_ напряжение VEBO | 5 В |
- Цена: 1 167,50 ₴

