IKQ50N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT 1200 V 100 A 652 W Through Hole PG-TO247-3-46

У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
IKQ50N120CH3XKSA1 Транзистор IGBT
Транзистор IGBT 1200 V 100 A 652 W Through Hole PG-TO247-3-46
| Дополнительные характеристики | |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 652 W |
| Артикул | 00-00077644 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Категория продукта | БТИЗ |
| Конфигурация | Single |
| Корпус | TO-247-3 |
| Максимальное _x000D_ напряжение затвор-эмиттер | - 20 V, 20 V |
| Напряжение _x000D_ коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Напряжение насыщения _x000D_ коллектор-эмиттер | 2 V |
| Непрерывный _x000D_ коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Непрерывный ток _x000D_ коллектора Ic, макс. | 100 A |
| Производитель | Infineon _x000D_ Technologies |
| Рабочая температура | - 40 C...+ 175 C |
| Серия | IGBT HighSpeed 3 |
| Технология | Si |
| Ток утечки _x000D_ затвор-эмиттер | 100 nA |
- Цена: 1 012,50 ₴

