SIHG105N60EF-GE3 MOSFET , N-CH, 600 В, 29 А, 150 °C, 208 Вт
905 ₴
- В наличии
- Код: 00-00075061
+380 (97) 037-75-90
или пишите на мэйл и чат
- +380 (73) 156-87-00или пишите на мэйл и чат
- +380 (50) 547-59-69
SIHG105N60EF-GE3 MOSFET , N-CH, 600 В, 29 А, 150 °C, 208 Вт
905 ₴
В наличииУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
возврат товара в течение 14 дней за счет покупателя
Описание
Характеристики
Информация для заказа
SIHG105N60EF-GE3 Транзистор полевой MOSFET
MOSFET , N-CH, 600 В, 29 А, 150 °C, 208 Вт
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Vishay Intertechnology |
| Дополнительные характеристики | |
| Состояние | Новое |
| Пользовательские характеристики | |
| Id - непрерывный ток _x000D_ утечки | 29 A |
| Pd - рассеивание _x000D_ мощности | 208 W |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Rds Вкл - _x000D_ сопротивление сток-исток | 102 mOhms |
| Vds - напряжение _x000D_ пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - Напряжение _x000D_ затвор-исток | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое _x000D_ напряжение затвор-исток | 5 V |
| Артикул | 00-00075061 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность _x000D_ транзистора | N-Channel |
| Рабочая температура | - 55 C ... + 150 _x000D_ C |
| Технология | Si |
- Цена: 905 ₴
